半導體的PCT測驗意圖及除氣泡設備

PCT實驗（yàn）一般稱為壓力（lì）鍋蒸煮實驗或是飽滿蒸汽實驗 ,主要是將（jiāng）待測品置於苛刻之溫度、飽（bǎo）滿濕度(100%R.H.)[飽滿水蒸 司]及壓力環境下測

試，測驗代測品耐高濕能（néng）力,針對印刷線路板（bǎn）(PCB&FPC) ,用來進行資料吸（xī）濕率（lǜ）實驗、高壓蒸煮實驗. 等實（shí）驗（yàn）目（mù）的,如果待測品是半導體的話（huà）,則用來測驗半導體封裝（zhuāng）之抗濕氣能力,待測品被放置（zhì）苛刻的溫濕度（dù）以及壓力環（huán）境下測驗,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者（zhě）膠體或膠體與導線架之介（jiè）麵進入封裝體之中,常見的故裝原因（yīn）: 爆米花效應、動金屬化區域腐蝕形成之斷路、封裝體弓|腳間因汙（wū）染形成之短路.等相關問題。

PCT對PCB的毛病形（xíng）式:起泡(lister)、斷裂(Crack)、 止（zhǐ）焊漆剝離(SR de-lamination)。

半導體的PCT測驗: PCT最主要（yào）是測驗（yàn）半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放（fàng）置苛（kē）刻的溫濕度以及（jí）壓（yā）力環境下測驗,如果半導體封裝的不好，濕（shī）氣會沿者膠體（tǐ）或膠體與導線架之（zhī）介麵進入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花（huā）效應、動（dòng）金屬化區域腐蝕形成之斷（duàn）路、封裝體弓|腳間（jiān）因汙染形成之短路.等相關問題。

PCT對IC半導體的（de）可靠度點評項目: Die Attach Epoxy (or Film)、導線架資料、封膠樹脂腐蝕失效與IC :腐蝕失效（xiào）(水汽、偏壓、雜質離子)會形成IC的鋁線發生電化學腐蝕,而導致鋁線（xiàn）開路以及遷移生（shēng）長。

塑封半導體因濕氣腐蝕而引|起的失效（xiào）現象（xiàng）:

由於（yú）鋁（lǚ）和鋁合（hé）金價格（gé）便宜,加工工藝簡略,因而通常被運用為積體電路的金屬線。從進行積體電路塑封裂程開始,水氣便會經過環氧樹脂進入弓|起鋁金屬導線產（chǎn）生（shēng）腐蝕進而產生開路現象（xiàng）,成（chéng）焉品質管理最為（wéi）頭痛的問題。盡管經過（guò）各種改善包括探（tàn）用不同環氧樹（shù）脂資料、改進塑封技能和進步非活性塑封膜為進步（bù）產品質量進行了各種努力（lì）,可是隨著（zhe）日（rì）新（xīn）月異的（de）半導體電子器件小型化（huà）開展，塑封鋁金屬導線腐蝕問題至（zhì）今仍然是電子職業非常重要的技能課題。

鋁線中產生腐蝕進程:

①水氣（qì）滲透入塑封殼內- +濕（shī）氣滲（shèn）透到樹脂和導線空地之中

②水氣滲透到晶片（piàn）表（biǎo）麵引（yǐn）起鋁化學反應

加快鋁腐蝕的要素:

①樹脂資料與晶片結構介麵之間銜接不夠好(由於各種（zhǒng）資料之間存在膨脹率的差異)

②封裝時,封裝資料摻有雜質或者雜質離子的汙染(由於雜質離子的（de）呈現)

③非活性塑封膜中所運用的高濃度磷

④非活性塑封膜中存在的缺點

水汽進入IC封裝的途徑:

1.IC晶片和弓|線結構及SMT時用的銀漿（jiāng）所吸收的水

2.塑封料中吸收的（de）水分

3.塑封工作間濕度較高時（shí）對器件或（huò）許形成影響;

4.包封後的器件,水汽透過塑封料以及經（jīng）過（guò）塑封料（liào）和引線結構之空地滲透進去,由於塑膠與引線結構之間隻（zhī）有機（jī）械性的結（jié）合,所以在引線（xiàn）結構與塑膠之間不免呈現小的（de）空地。

備注:隻要封膠之間空地大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護

備注:氣密封（fēng）裝對於水汽不敏感,一般不探用加快溫濕度實驗來點評其可靠（kào）性 ,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。

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